Amplificatore monoblocco da 300 W con stadio di uscita e alimentazione completamente basati su GaN. Prezzo per coppia.
L'amplificatore monoblocco AGD DUET è l'ultimo arrivato nella nostra famiglia di amplificatori di potenza Hi-End all'avanguardia.
L'AGD DUET è il nostro primo amplificatore monoblocco compatto che utilizza i MOSFET di potenza al nitruro di gallio 100% sia per lo stadio di uscita che per l'alimentazione.
L'AGD DUET ha una potenza nominale di 300 W 4 Ω.
Per ottenere queste prestazioni in un cabinet compatto lavorato a CNC (disponibile completamente lucido o anodizzato nero), abbiamo progettato un nuovo alimentatore utilizzando il più avanzato HV GaN MOSFET disponibile oggi sul mercato.
Per l'AGD DUET abbiamo anche progettato una nuova scheda madre con binari di alimentazione lineari a basso rumore e uno stadio di buffer analogico superlativo basato sugli amplificatori operazionali AD797.
Per mantenere nel tempo il pieno valore del prodotto, caratteristica fondamentale di tutti gli amplificatori AGD, il modulo dello stadio di potenza basato su GaN utilizzato nel “DUET” AGD è completamente aggiornabile ai moduli di potenza GaN di prossima generazione con nuovi dispositivi MOSFET GaN dalle prestazioni avanzate.
L'AGD DUET MONOBLOCK utilizza la stessa tecnologia fondamentale sperimentata con l'AGD Gran Vivace, l'AGD TEMPO e l'AGD AUDION, i primi veri amplificatori Hi-End basati su MOSFET di potenza al nitruro di gallio.
Con l'AGD DUET abbiamo esteso l'uso del semiconduttore di potenza più avanzato, MOSFET GaN, anche allo stadio di alimentazione, consentendo di aumentare la potenza di uscita e l'efficienza.
Il NUOVO stadio di uscita GaN-Power, basato su una nuova serie di MOSFET GaN discreti ad alta tensione, può funzionare fino a 800 kHz e a slew-rate elevati, offrendo il suono più sublime grazie alle sue prestazioni di commutazione ideali e prive di oscillazioni.
Con l'AGD DUET abbiamo mantenuto la caratteristica fondamentale del modulo di alimentazione GaNSound aggiornabile.
Questa è una caratteristica fondamentale che AGD ha mantenuto in tutti gli amplificatori progettati, dall'Audion al Gran Vivace, al Tempo e ora al DUET.
Noi di AGD crediamo fermamente che i clienti abbiano il diritto di mantenere il valore del loro investimento, pertanto diamo la possibilità di aggiornare il modulo dello stadio di uscita GaN nel momento in cui un nuovo dispositivo MOSFET GaN offre un miglioramento tecnologico e prestazionale.
La tecnologia GaN nei semiconduttori di potenza ha solo 10 anni, contro i 60 anni di evoluzione della tecnologia del silicio.
I nuovi MOSFET GaN migliorati offriranno quindi prestazioni sonore superiori grazie a un modulo aggiornato sotto forma di un nuovo GaNTube o, come nel DUET e nel TEMPO, con una scheda figlia dedicata, facile da inserire.
La nuova scheda principale dell'AGD DUET è una 4 strati di PCB progettato con la massima attenzione per ridurre al minimo il rumore con un controllo ottimale dell'instradamento delle connessioni.
Con tracce di rame extra large (2 oz), la nuova scheda presenta una perfetta percorso resistivo ultra basso e induttanza parassita.
La scheda principale di AGD DUET è stata progettata per ospitare una pila di condensatori bulk di grandi dimensioni (fino a 30.000 µF), un mezzo fondamentale per supportare la domanda più dinamica e attuale con carichi difficili.
Il Modulo AGD GaNSound è facilmente rimovibile per eventuali aggiornamenti futuri ed è dotato di un diffusore di calore aggiuntivo in rame per mantenere la temperatura più stabile durante il funzionamento.
Adottando un nuovo sistema avanzato di HV MOSFET di potenza GaN, Sostituendo la tecnologia Cool-MOS al silicio standard della generazione precedente, il nuovo alimentatore ha raggiunto un livello incrementale rumore più basso ed efficienza più elevata rispetto al design della generazione precedente.
Il nuovo design del PS ha inoltre raddoppiato le dimensioni dei condensatori di front-end e migliorato la sezione del filtro RF. Le dimensioni complessive del banco di condensatori consentono una corrente di picco massima fino a 50 A per lo stadio di potenza GaN di uscita.
Tutti i miglioramenti incrementali apportati a questo nuovo progetto avanzato hanno contribuito in modo significativo alla musicalità complessiva dell'AGD DUET.
Tutti gli elementi che compongono il cabinet dell'AGD DUET sono lavorati al CNC 100% e sono stati concepiti per offrire la massima solidità e compattezza agli audiofili che desiderano ottenere un suono superiore con la tecnologia più avanzata oggi disponibile sul mercato e allo stesso tempo “ridurre” l'ingombro e il peso degli amplificatori.
I piedini sono di forma conica e sono inclusi dei dischi metallici dedicati.
AGD DUET è disponibile in Anodizzato nero e argento lucidato a specchio
La configurazione del pannello posteriore dell'AGD DUET offre un facile accesso ai connettori degli ingressi single ended e bilanciati.
Gli ingressi (completamente indipendenti) sono selezionabili tramite interruttore a levetta.
Due set di morsetti in rame WBT super resistenti.
I collegamenti per l'ingresso di trigger remoto (12 V) completano la configurazione del pannello posteriore.
| Parametro | Descrizione |
|---|---|
| Uscita nominale, 20Hz÷20KHz, 4Ω | 300W |
| THD+N 10W/1KHz | <0.005% |
| Potenza di uscita massima a 0,1% THD+N, 1KHz, 8Ω | 150W |
| Larghezza di banda audio ±0,5 dB | 20Hz-20KHz |
| Larghezza di banda ±3dB | 5Hz-80KHz |
| Impedenza di ingresso | 40kOhm (600Ohm su richiesta) |
| Modulo di potenza GaN Frequenza PWM | ~800kHz |
| Dimensioni | 10×5,6×4,0 pollici (254x142x100 mm) |
| Peso | 8,25 libbre (3,75 kg) |
| Tensione di ingresso | 110-240V (commutazione automatica) |
Fascia di prezzo: da $ 11,750 a $ 12,499 + Imposta
